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IXTH 6N120
IXTT 6N120
6
5
Fig. 7. Input Admittance
12
10
Fig. 8. Transconductance
T J = -40oC
4
8
25oC
125oC
3
2
1
0
T J = -40oC
25oC
125oC
6
4
2
0
3.5
4
4.5 5
V GS - Volts
5.5
6
6.5
0
1.5
3 4.5 6
I D - Amperes
7.5
9
20
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-Drain
Voltage
10
Fig. 10. Gate Charge
V DS = 600V
16
12
8
4
0
T J = 125oC
T J = 25oC
8
6
4
2
0
I D = 3A
I G = 10mA
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0
10
20
30
40
50
60
10000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1M hz
1
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Resistance
1000
C iss
100
10
C oss
C rss
0.1
0.01
0
5
10
15 20 25
V DS - Volts
30
35
40
1
10 100
Pulse Width - milliseconds
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
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